制备参数和退火对a-C∶H膜光学性质的影响 |
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引用本文: | 陈光华,卢阳华.制备参数和退火对a-C∶H膜光学性质的影响[J].半导体学报,1996,17(11):846-851. |
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作者姓名: | 陈光华 卢阳华 |
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作者单位: | 北京工业大学应用物理系,兰州大学物理系 |
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摘 要: | 本文主要研究了制备参数和退火对a-C:H膜的光学性质的影响.得到了样品的吸收系数、光学带隙和带尾宽度等反映a-C:H膜电子能带结构的物理参数.结果表明,吸收系数随着衬底温度、射频偏压增加而上升,随反应室压强的升高而下降;光学带隙随衬底温度、射频偏压增加而下降,随反应室任强的升高而变宽随着退火温度Ta的升高,氢含量减少,带尾变宽,带隙变窄.
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