| 高阻值 CdZnTe晶体的退火改性 |
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| 引用本文： | 李国强,谷智,介万奇. 高阻值 CdZnTe晶体的退火改性[J]. 功能材料与器件学报, 2003, 9(2): 128-132 |
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| 作者姓名： | 李国强 谷智 介万奇 |
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| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家自然科学基金，59982006，59825109，， |
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| 摘 要： | 采用 Cd1－ yZny合金作退火源,对垂直布里奇曼法生长获得的 Cd0.9Zn0.1Te晶片进行了退火处 理.实验结果表明,退火后,晶片中 Zn的径向成分偏离从 0.15at ％降低到 0.05at％, Al、 Na、 Mg、 Cu等杂质的含量得到一定程度的降低,代表结晶质量的半峰宽从 182″下降到 53″,而红外透过率从 56.6％提高到 62.1％,电阻率则从 7.25× 108Ω cm提高到 2.5× 1010Ω cm.可见,在合适的条件下 对高阻值 CdZnTe晶体进行退火处理可以提高晶体的性能.
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| 关 键 词： | CdZnTe晶体 退火 半导体材料 X射线探测器 γ射线探测器 改性 |
| 文章编号： | 1007-4252(2003)02-0128-05 |
| 修稿时间： | 2002-11-03 |
Upgradation of high resistance CdZnTe crystal through annealing |
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| LI Guo-qiang,GU Zhi,JIE Wan-qi. Upgradation of high resistance CdZnTe crystal through annealing[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2003, 9(2): 128-132 |
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| Authors: | LI Guo-qiang GU Zhi JIE Wan-qi |
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