| 溅射压强对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响 |
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| 引用本文： | 马全宝,朱丽萍,叶志镇,何海平,王敬蕊,胡少华,赵炳辉. 溅射压强对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 285-288 |
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| 作者姓名： | 马全宝 朱丽萍 叶志镇 何海平 王敬蕊 胡少华 赵炳辉 |
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| 作者单位： | 马全宝（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;朱丽萍（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;叶志镇（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;何海平（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;王敬蕊（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;胡少华（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;赵炳辉（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 浙江省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的ZnO:Ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,ZnO:Ga薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积的ZnO:Ga薄膜最低电阻率可达4.48×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90%.
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| 关 键 词： | ZnO:Ga 透明导电氧化物薄膜 磁控溅射 光电特性 压强 直流磁控 溅射制备 透明导电薄膜 薄膜特性 影响 Properties Pressure Reactive Magnetron Sputtering Influence 透射率 范围 可见光 低电阻率 变化 沉积 测试 多晶结构 六角 择优取向 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0285-04 |
| 修稿时间： | 2006-11-14 |
Influence of Sputtering Pressure on the Properties of ZnO:Ga Films Prepared by DC Reactive Magnetron Sputtering |
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| Ma Quanbao,Zhu Liping,Ye Zhizhen,He Haiping,Wang Jingrui,Hu Shaohua,Zhao Binghui. Influence of Sputtering Pressure on the Properties of ZnO:Ga Films Prepared by DC Reactive Magnetron Sputtering[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1): 285-288 |
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| Authors: | Ma Quanbao Zhu Liping Ye Zhizhen He Haiping Wang Jingrui Hu Shaohua Zhao Binghui |
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