| RF-PECVD高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜 |
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| 引用本文： | 周炳卿,朱美芳,刘丰珍,刘金龙,谷锦华,张群芳,李国华,丁琨. RF-PECVD高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜[J]. 半导体学报, 2005, 26(13): 98-101 |
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| 作者姓名： | 周炳卿 朱美芳 刘丰珍 刘金龙 谷锦华 张群芳 李国华 丁琨 |
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| 作者单位： | 中国科学院研究生院 物理系，北京 100039;内蒙古师范大学物理系，呼和浩特 010022;中国科学院研究生院 物理系，北京 100039;中国科学院研究生院 物理系，北京 100039;中国科学院研究生院 物理系，北京 100039;中国科学院研究生院 物理系，北京 100039;中国科学院研究生院 物理系，北京 100039;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083 |
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| 摘 要： | 利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si∶H)薄膜. 研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响. 选择优化的沉积参数，在非晶到微晶的过渡区得到了沉积速率为0.3～0.4nm/s的μc-Si∶H薄膜. 薄膜的暗电导在1e-7S/cm量级，光暗电导比近2个量级，电导激活能在0.52eV左右，薄膜结构致密，达到了器件级质量.
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| 关 键 词： | 微晶硅薄膜；PECVD；高速沉积 |
High Rate Deposition of Device Quality Microcrystalline Si Transition Regime Films Using RF-PECVD |
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| Zhou Bingqing,Zhu Meifang,Liu Fengzhen,Liu Jinlong,Gu Jinhu,Zhang Qunfang,Li Guohua and Ding Kun. High Rate Deposition of Device Quality Microcrystalline Si Transition Regime Films Using RF-PECVD[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(13): 98-101 |
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| Authors: | Zhou Bingqing Zhu Meifang Liu Fengzhen Liu Jinlong Gu Jinhu Zhang Qunfang Li Guohua Ding Kun |
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| Affiliation: | Department of Physics,Graduate School of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100039,China;Department of Physics,Inner Mongolia Normal University,Huhhot 010022,China;Department of Physics,Graduate School of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100039,China;Department of Physics,Graduate School of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100039,China;Department of Physics,Graduate School of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100039,China;Department of Physics,Graduate School of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100039,China;Department of Physics,Graduate School of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100039,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | microcrystalline silicon films PECVD high rate deposition |
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