| 退火对溅射沉积ITO膜电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 黄步雨,史月艳. 退火对溅射沉积ITO膜电学性能的影响[J]. 真空科学与技术学报, 1994, 0(5) |
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| 作者姓名： | 黄步雨 史月艳 |
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| 作者单位： | 清华大学电子工程系!北京100084 |
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| 摘 要： | 运用直流磁控反应溅射技术在氮气和氧气气氛下，以In（90wt％）－Sn（10wt％）作为靶材，基体处于自然升温状态下沉积ITO膜。在空气中，选用200℃，250℃，300℃，350℃，400℃保温20min，对ITO膜进行退火处理。这里着重研究溅射气氛及退火条件对膜的方块电阻的影响。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 方块电阻 靶 |
ANNEALING EFFECT ON ELECTRONIC PROPERTIES OF ITO FILM |
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| Huang Buyu, Shi Yueyan. ANNEALING EFFECT ON ELECTRONIC PROPERTIES OF ITO FILM[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 1994, 0(5) |
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| Authors: | Huang Buyu Shi Yueyan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Magnetron sputtering Sheet resistance Target |
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