| 氮化硅薄膜对晶体硅材料和电池的钝化效果研究 |
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| 引用本文： | 龚灿锋,杨德仁,王晓泉,席珍强,汪雷,阙端麟.氮化硅薄膜对晶体硅材料和电池的钝化效果研究[J].太阳能学报,2005,26(5):613-616. |
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| 作者姓名： | 龚灿锋 杨德仁 王晓泉 席珍强 汪雷 阙端麟 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(60225010，50032010) |
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| 摘 要： | 利用等离子体增强化学气相沉积技术,在P型直拉单晶硅硅片和铸造多晶硅片以及太阳电池的表面上 沉积了非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,并研究了氮化硅薄膜对材料少子寿命和太阳电池性能的影响。研究发现: 氮化硅薄膜显著地提高了晶体硅材料中少子寿命,同时多晶硅太阳电池的开路电压有少量提高,短路电流普遍 提高了1mA/cm2,电池效率提高了2％。实验结果表明:氮化硅薄膜不仅具有表面钝化作用,也有良好的体钝化 作用。
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| 关 键 词： | 硅 氮化硅 PECVD 太阳电池 少子寿命 |
| 文章编号： | 0254-0096(2005)05-0613-04 |
| 修稿时间： | 2003年10月21 |
PASSIVATION EFFECT OF SiNx: H FILM ON CRYSTALLINE SILICON MATERIALS AND SOLAR CELLS |
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| Gong Canfeng,Yang Deren,Wang Xiaoquan,Xi Zhenqiang,Wang Lei,Que Duanlin.PASSIVATION EFFECT OF SiNx: H FILM ON CRYSTALLINE SILICON MATERIALS AND SOLAR CELLS[J].Acta Energiae Solaris Sinica,2005,26(5):613-616. |
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| Authors: | Gong Canfeng Yang Deren Wang Xiaoquan Xi Zhenqiang Wang Lei Que Duanlin |
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| Keywords: | Si SiNx PECVD solar cells minor carrier lifetime |
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