| 离子束辅助沉积和真空退火对硫化锌薄膜应力的影响 |
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| 引用本文： | 陈焘,罗崇泰,王多书,刘宏开,王济洲,马锋. 离子束辅助沉积和真空退火对硫化锌薄膜应力的影响[J]. 真空科学与技术学报, 2009, 29(Z1). DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2009.z1.13 |
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| 作者姓名： | 陈焘 罗崇泰 王多书 刘宏开 王济洲 马锋 |
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| 作者单位： | 兰州物理研究所,表面工程技术国家级重点实验室,兰州,730000 |
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| 基金项目： | 表面工程技术国家级重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 在硅基底上用电子束蒸发方法制备了硫化锌薄膜.通过XRD和薄膜应力测试仪研究了离子束辅助沉积和真空退火对硫化锌薄膜应力的影响规律.结果表明,未采用离子辅助技术制备的硫化锌薄膜为压应力,平均应力值为110.6 MPa,当采用离子束辅助工艺时硫化锌薄膜的压应力增加了62.3MPa.真空退火使硫化锌薄膜的平均应力大约降低了二分之一.硫化锌薄膜的微观结构变化是影响薄膜应力的主要因素.
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| 关 键 词： | 硫化锌薄膜 离子束辅助沉积 真空退火 应力 |
Influence of Ion Beam Asistance Deposition and Annealing on Stress in ZnS Films |
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| Chen Tao,Luo Chongtai,Wang Duoshu,Liu Hongkai,Wang Jizhou,Ma Feng. Influence of Ion Beam Asistance Deposition and Annealing on Stress in ZnS Films[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2009, 29(Z1). DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2009.z1.13 |
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| Authors: | Chen Tao Luo Chongtai Wang Duoshu Liu Hongkai Wang Jizhou Ma Feng |
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