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| 新颖的常规硅工艺实现的侧向螺线型征上集成电感 | |
| 引用本文： | 刘畅,顾伟东,等.新颖的常规硅工艺实现的侧向螺线型征上集成电感[J].半导体学报,2002,23(4):352-365. |
| 作者姓名： | 刘畅 顾伟东 |
| 作者单位： | [1]中国科学院上海冶金研究所微电子学分部，上海200233 [2]华为公司上海研究所，上海200233 |
| 摘 要： | 提出了一种用常规硅工艺实现的片上集成电感的螺线型新结构。制造工艺使用标准双层金属布线的常规硅工艺。测量了螺线型集成电感的S参数，从测量数据计算了集成电感的参量。实验的侧向螺线型片上集成电感的Q值峰值为1.3，电感量为2.2nH。对用两层金属层实现的侧向螺线片上集成电感和单层金属的常规平面螺旋电感的实验结果进行了比较，电感量和Q值与常规平面螺旋电感有可比性。 |
| 关 键 词： | 硅工艺 集成电感 螺线电感 螺旋电感 品质因素 集成电路 |
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