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杂志ISSN号
用电子束掺杂形成浅结
作者姓名:
蔡守民
作者单位:
长沙半导体工艺设备研究所电子束退火小组
摘 要:
本文介绍用电子束掺杂形成浅结的方法和实验结果,给出了结深在0.1~0.2μm的掺磷、掺硼、掺砷的掺杂层的载流子沿深度方向的分布曲线,以及用此法作的平面二极管的伏安特性曲线。在5伏下,反向漏电流<1×10~(-8)A。
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