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一种高增益低噪声CMOS混频器设计
引用本文:程知群,李进,傅开红,朱雪芳,高俊君. 一种高增益低噪声CMOS混频器设计[J]. 电子器件, 2009, 32(4): 737-741
作者姓名:程知群  李进  傅开红  朱雪芳  高俊君
作者单位:杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018;杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018;杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018;杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018;杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018
基金项目:国家自然科学基金资助项目 
摘    要:设计了一种基于跨导互补结构的电流注入混频器,通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极增加PMOS管形成电流注入电路减小本振端的偏置电流,改善电路的闪烁噪声和增大电路的增益.采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计.在本振(LO)信号的频率为1.571 GHz,射频(RF)信号频率为1.575 GHz时,混频器的增益为17.5 dB,噪声系数(NF)为8.35 dB,三阶交调截止点输入功率(IIP3)为-4.6 dBm.混频器工作电压1.8 V.直流电流为8.8 mA,版图总面积为0.63 mm × 0.78 mm.

关 键 词:高增益  低噪声  混频器  电流注入

Design of a High Gain and Low Noise CMOS Mixer
Abstract:
Keywords:Key words: high gain   low noise   mixer   current bleeding
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