一种高增益低噪声CMOS混频器设计 |
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引用本文: | 程知群,李进,傅开红,朱雪芳,高俊君. 一种高增益低噪声CMOS混频器设计[J]. 电子器件, 2009, 32(4): 737-741 |
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作者姓名: | 程知群 李进 傅开红 朱雪芳 高俊君 |
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作者单位: | 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018;杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018;杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018;杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018;杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目 |
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摘 要: | 设计了一种基于跨导互补结构的电流注入混频器,通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极增加PMOS管形成电流注入电路减小本振端的偏置电流,改善电路的闪烁噪声和增大电路的增益.采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计.在本振(LO)信号的频率为1.571 GHz,射频(RF)信号频率为1.575 GHz时,混频器的增益为17.5 dB,噪声系数(NF)为8.35 dB,三阶交调截止点输入功率(IIP3)为-4.6 dBm.混频器工作电压1.8 V.直流电流为8.8 mA,版图总面积为0.63 mm × 0.78 mm.
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关 键 词: | 高增益 低噪声 混频器 电流注入 |
Design of a High Gain and Low Noise CMOS Mixer |
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Abstract: | |
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Keywords: | Key words: high gain low noise mixer current bleeding |
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