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| 深亚微米工艺EEPROM单元加固设计及辐照性能 | |
| 引用本文： | 周昕杰,李蕾蕾,徐睿,于宗光. 深亚微米工艺EEPROM单元加固设计及辐照性能[J]. Canadian Metallurgical Quarterly, 2011, 41(3). DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2011.03.017 |
| 作者姓名： | 周昕杰 李蕾蕾 徐睿 于宗光 |
| 作者单位： | 1. 东南大学电子科学与工程学院,南京,210096;中国电子科技集团第五十八研究所,无锡,214035 2. 西安电子科技大学微电子学院,西安,710071;中国电子科技集团第五十八研究所,无锡,214035 3. 中国电子科技集团第五十八研究所,无锡,214035 |
| 基金项目： | 国家科技重大专项资助项目 |
| 摘 要： | 当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18 μm工艺,设计出一种新型抗辐照EEPROM单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56 μm2,抗总剂量效应能力大于1 500 Gy,抗辐照能力明显优于普通结构.为明确失效机制,基于新单元结构在辐照条件下的阈值退化曲线,分析了辐照效应对存储单元的影响,并与普通单元的辐照效应相比较.结果表明:总剂量效应引起的边缘寄生管源/漏端漏电及场氧下漏电是深亚微米工艺EEPROM失效的主要机制.新单元针对失效机制的加固设计,提高了抗辐照能力和可靠性.该设计为满足太空应用中抗辐照存储器的需要,提供了良好的基础. |
| 关 键 词： | 总剂量效应 EEPROM 抗辐照加固 |
EEPROM cell hardness design and radiation characteristics in deep submicron process |
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| Zhou Xinjie,Li Leilei,Xu Rui,Yu Zongguang. EEPROM cell hardness design and radiation characteristics in deep submicron process[J]. Canadian Metallurgical Quarterly, 2011, 41(3). DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2011.03.017 | |
| Authors: | Zhou Xinjie Li Leilei Xu Rui Yu Zongguang |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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