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| 多介质工艺X射线光刻制作T形栅 | |
| 引用本文： | 孙加兴,叶甜春,谢常青,申云琴,刘刚.多介质工艺X射线光刻制作T形栅[J].真空科学与技术学报,2002,22(3):239-241. |
| 作者姓名： | 孙加兴 叶甜春 谢常青 申云琴 刘刚 |
| 作者单位： | 1. 天津大学电子信息工程学院,天津,300072 2. 中科院微电子中心,北京,100010 3. 中国科技大学国家同步辐射实验室,合肥,230026 |
| 摘 要： | 半导体器件日益向高频、高速方向发展 ,赝质结高电子迁移率晶体管以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速。在PHEMT的制作工艺中 ,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的。采用X射线多介质工艺制作T形栅 ,其形貌清晰 ,线条基本可控 ,为MMIC制作提供了可靠的工艺 |
| 关 键 词： | X射线 赝质结高电子迁移率晶体管 T形栅 多介质工艺 |
| 文章编号： | 0253-9748(2002)03-0239-03 |
| 修稿时间： | 2001年11月2日 |
T-shaped Gate Fabrication by X-ray Lithography of Multi-layered Media |
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| Sun Jiaxing ,Ye Tianchun ,Xie Changqing ,Shen Yunqing ,Liu Gang.T-shaped Gate Fabrication by X-ray Lithography of Multi-layered Media[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2002,22(3):239-241. | |
| Authors: | Sun Jiaxing Ye Tianchun Xie Changqing Shen Yunqing Liu Gang |
| Affiliation: | Sun Jiaxing 2,Ye Tianchun 1,Xie Changqing 1,Shen Yunqing 2,Liu Gang 3 |
| Abstract: | |
| Keywords: | X ary PHEMT T gate Multi layer medium technology |
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