| 衬底和O2/Ar气体比例对ZnO薄膜结构及性能的影响 |
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| 引用本文： | 李俊红,汪承灏,徐联. 衬底和O2/Ar气体比例对ZnO薄膜结构及性能的影响[J]. 功能材料, 2008, 39(1): 79-82 |
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| 作者姓名： | 李俊红 汪承灏 徐联 |
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| 作者单位： | 中国科学院,声学研究所声学微机电系统实验室,北京,100080;中国科学院,声学研究所声学微机电系统实验室,北京,100080;中国科学院,声学研究所声学微机电系统实验室,北京,100080 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射法沉积了ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜等手段对薄膜的晶体结构和微观相貌进行了分析,并对薄膜的电学性能进行了考察.结果表明:所制备薄膜沿c轴高度择优,并具有较高的电阻率;ZnO薄膜的沉积速率和c轴择优度是由O2/Ar气体比例和衬底共同决定的;Au衬底上的ZnO薄膜以三维生长为主,在Al和Si衬底上出现了不同程度的薄膜二维生长;电阻率随O2/Ar气体比例的提高逐渐增加,Si衬底上薄膜的电阻率高于Al和Au衬底上的.
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| 关 键 词： | ZnO c轴取向 微观结构 电阻率 |
| 文章编号： | 1001-9731（2008）01-0079-04 |
| 收稿时间： | 2007-05-15 |
| 修稿时间： | 2007-09-12 |
Effect of substrates and O2/Ar gas ratios on the structures and properties of ZnO films |
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| LI Jun-hong,WANG Cheng-hao,XU Lian. Effect of substrates and O2/Ar gas ratios on the structures and properties of ZnO films[J]. Journal of Functional Materials, 2008, 39(1): 79-82 |
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| Authors: | LI Jun-hong WANG Cheng-hao XU Lian |
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| Keywords: | ZnO c-axis orientation microstructure resistivity |
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