| 6H-SiC高反压台面pn结二极管 |
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| 引用本文： | 王姝睿,刘忠立,李晋闽,王良臣,徐萍. 6H-SiC高反压台面pn结二极管[J]. 半导体学报, 2001, 22(4): 507-510 |
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| 作者姓名： | 王姝睿 刘忠立 李晋闽 王良臣 徐萍 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所!北京100083 |
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| 摘 要： | 在可商业获得的单晶 6 H- Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ;并在此 6 H - Si C结构材料上 ,利用反应离子刻蚀和接触合金化技术 ,制作台面 pn结二极管 .详细测量并分析了器件的电学特性 ,测量结果表明此 6 H - Si C二极管在室温、空气介质中 ,- 10 V时 ,漏电流密度为 2 .4× 10 - 8A/cm2 ,在反向电压低于 6 0 0 V及接近30 0℃高温下都具有良好的整流特性 .
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| 关 键 词： | 碳化硅 pn结二极管 6H-SiC |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）04-0507-04 |
| 修稿时间： | 2000-03-22 |
Electrical Characterization of 6H-SiC pn Diodes |
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| WANG Shu-rui,LIU Zhong-li,LI Jin-min,WANG Liang-chen and XU Ping. Electrical Characterization of 6H-SiC pn Diodes[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 22(4): 507-510 |
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| Authors: | WANG Shu-rui LIU Zhong-li LI Jin-min WANG Liang-chen XU Ping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide pn junction diode 6H-SiC |
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