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| 在PCVD工艺中氟对光纤损耗的影响 | |
| 作者姓名： | 邓都才 王艳芳 熊建纯 张穆 罗慧英 谢培英 |
| 作者单位： | 武汉邮电科学研究院(邓都才，王艳芳，熊建纯，张穆，罗慧英)，武汉邮电科学研究院(谢培英) |
| 摘 要： | 本文叙述在PCVD法中应用CCl_2F_2作氟源,在制备低OHˉ、低损耗长波长多模梯度光纤的研究结果。 CCl_2F_2容易获得,价格便宜,效果优异,掺F多模梯度光纤在1.39μm的OHˉ附加衰耗已接近1dB/km。并获得了在1.30μm和1.55μm衰耗分别为0.41dB/km和0.21dB/km的超低损耗多模涕度光纤。掺氟单模光纤在1.3μm的衰耗已达0.9dB/km。 |
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