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| 活性环境空心阴极溅射特性与沉积Al_2O_3、ZnO掺杂和In_2O_3:Mo薄膜的应用(中) | |
| 作者姓名： | 范崇治 殷志强 |
| 作者单位： | 清华大学 |
| 摘 要： | <正>2实验结果和讨论2.1阴极和沉积特性典型空心阴极I-V特性如图2所示,HC中有铜靶块并用氩气作为工作气体。在气流量和放电电流一定时,压强越低需放电电压越高。在给定真空室压强情况下,两个不同气流量的I-V特性很接近,在一定电流下,较高的气流量电压略低一点(注:从图2看,原文"略高一点"——译者注),这是因为流量提高了HC内部的压强。影响峰值局部沉积率的主要因素是放电功率、工作气体的流量和阴极源到基材的距离。图3给出了Cu的沉积率与功率的关系,测试条件:氩固定流量为5000 sccm、压强约为38.0 Pa,用石英晶体监测器,距离3.5 cm测量沉积率。发现 |
| 关 键 词： | 沉积特性 阴极溅射 空心阴极 Al2O3 In2O3 Mo薄膜 ZnO I-V特性 |
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