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分子动力学模拟样品温度对F刻蚀SiC的影响
引用本文:宁建平,秦尤敏,吕晓丹,A. Bogaerts,苟富君. 分子动力学模拟样品温度对F刻蚀SiC的影响[J]. 真空科学与技术学报, 2010, 30(2). DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.02.03
作者姓名:宁建平  秦尤敏  吕晓丹  A. Bogaerts  苟富君
作者单位:1. 贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳,550025
2. 荷兰皇家科学院等离子体所,荷兰,2300
3. 贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳,550025;四川大学核科学与技术工程学院,成都,610064;比利时安特卫普大学化学系PLASMANT课题组,比利时,B-2610;荷兰皇家科学院等离子体所,荷兰,2300
基金项目:贵州省优秀青年科技人才培养计划 
摘    要:利用分子动力学模拟方法研究了在低能F原子刻蚀SiC表面过程中样品温度对刻蚀的影响。由模拟结果可知,随着温度的升高,F在样品表面的沉积量和散射量均呈下降趋势,而发生溅射的F的量和与样品作用生成挥发物质的F的量逐渐增加。Si的刻蚀量均随着温度的升高而升高。样品中Si原子的刻蚀主要是通过生成SiF4得以实现的,C原子的刻蚀主要是通过生成CFx(x=1~3)等挥发性物质实现的。

关 键 词:分子动力学  刻蚀  样品温度

Molecular Dynamic Simulation of Influence of Surface Temperature on Fluorine Etching of SiC
Ning Jianping,Qin Youmin,Lü Xiaodan,A. Bogaerts,Gou Fujun. Molecular Dynamic Simulation of Influence of Surface Temperature on Fluorine Etching of SiC[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2010, 30(2). DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.02.03
Authors:Ning Jianping  Qin Youmin  Lü Xiaodan  A. Bogaerts  Gou Fujun
Abstract:The influence of the SiC surface temperature on the radical fluorine etching technique was simulated,based on molecular dynamics theory.The simulated results show that the SiC surface temperature significantly affects the F etching.For instance,as the surface temperature rises up,the numbers of fluorine atoms,deposited on and scattered by SiC surface,decrease;whereas,the numbers of the sputtering fluorine atoms and the reactive fluorine atoms with surface to produce volatile compounds increase.In addition,t...
Keywords:SiC  Molecular dynamics  Etching  Sample Temperature  SiC
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