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| 分子动力学模拟样品温度对F刻蚀SiC的影响 | |
| 引用本文： | 宁建平,秦尤敏,吕晓丹,A. Bogaerts,苟富君. 分子动力学模拟样品温度对F刻蚀SiC的影响[J]. 真空科学与技术学报, 2010, 30(2). DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.02.03 |
| 作者姓名： | 宁建平 秦尤敏 吕晓丹 A. Bogaerts 苟富君 |
| 作者单位： | 1. 贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳,550025 2. 荷兰皇家科学院等离子体所,荷兰,2300 3. 贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳,550025;四川大学核科学与技术工程学院,成都,610064;比利时安特卫普大学化学系PLASMANT课题组,比利时,B-2610;荷兰皇家科学院等离子体所,荷兰,2300 |
| 基金项目： | 贵州省优秀青年科技人才培养计划 |
| 摘 要： | 利用分子动力学模拟方法研究了在低能F原子刻蚀SiC表面过程中样品温度对刻蚀的影响。由模拟结果可知,随着温度的升高,F在样品表面的沉积量和散射量均呈下降趋势,而发生溅射的F的量和与样品作用生成挥发物质的F的量逐渐增加。Si的刻蚀量均随着温度的升高而升高。样品中Si原子的刻蚀主要是通过生成SiF4得以实现的,C原子的刻蚀主要是通过生成CFx(x=1～3)等挥发性物质实现的。 |
| 关 键 词： | 分子动力学 刻蚀 样品温度 |
Molecular Dynamic Simulation of Influence of Surface Temperature on Fluorine Etching of SiC |
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| Ning Jianping,Qin Youmin,Lü Xiaodan,A. Bogaerts,Gou Fujun. Molecular Dynamic Simulation of Influence of Surface Temperature on Fluorine Etching of SiC[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2010, 30(2). DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.02.03 | |
| Authors: | Ning Jianping Qin Youmin Lü Xiaodan A. Bogaerts Gou Fujun |
| Abstract: | The influence of the SiC surface temperature on the radical fluorine etching technique was simulated,based on molecular dynamics theory.The simulated results show that the SiC surface temperature significantly affects the F etching.For instance,as the surface temperature rises up,the numbers of fluorine atoms,deposited on and scattered by SiC surface,decrease;whereas,the numbers of the sputtering fluorine atoms and the reactive fluorine atoms with surface to produce volatile compounds increase.In addition,t... |
| Keywords: | SiC Molecular dynamics Etching Sample Temperature SiC |
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