| 基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合 |
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| 引用本文： | 黄辉,王兴妍,王琦,陈斌,黄永清,任晓敏,孙增辉,钟源,高俊华,马骁宇,陈弘达,陈良惠.基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合[J].半导体学报,2005,26(8):1667-1670. |
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| 作者姓名： | 黄辉 王兴妍 王琦 陈斌 黄永清 任晓敏 孙增辉 钟源 高俊华 马骁宇 陈弘达 陈良惠 |
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| 作者单位： | 北京邮电大学 北京100876
(黄辉，王兴妍，王琦，陈斌，黄永清，任晓敏)，中国科学院半导体研究所 北京100083
(孙增辉，钟源，高俊华，马骁宇，陈弘达)，中国科学院半导体研究所 北京100083(陈良惠) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术．在360℃的退火温度下，获得了1.2MPa的键合强度．基于这种低温键合技术，可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱（MQW）键合并转移到GaAs衬底上．X射线衍射表明量子阱的结构未受键合过程的影响．光致发光谱分析表明键合后量子阱的晶体质量略有改善．电流电压特性的测试表明n-InP/n-InP的键合界面具有良好的导电特性；在n-InP/n-GaAs的键合界面存在着电荷势垒，这主要是由于键合界面存在GaAs氧化物薄层所致．
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| 关 键 词： | 晶片键合 GaAs InP 低温 硫化物 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）08-1667-04 |
| 收稿时间： | 2004-11-18 |
| 修稿时间： | 2005-01-24 |
Low Temperature InP/GaAs Wafer Bonding Based on a Sulfide Treated Surface |
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| Huang Hui,Wang Xingyan,Wang Qi,Chen Bin,Huang Yongqing,REN Xiaomin,Sun Zenghui,ZHONG Yuan,Gao Junhua,Ma Xiaoyu,Chen Hongda,Chen Lianghui.Low Temperature InP/GaAs Wafer Bonding Based on a Sulfide Treated Surface[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(8):1667-1670. |
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| Authors: | Huang Hui Wang Xingyan Wang Qi Chen Bin Huang Yongqing REN Xiaomin Sun Zenghui ZHONG Yuan Gao Junhua Ma Xiaoyu Chen Hongda Chen Lianghui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | wafer bonding InP GaAs low temperature sulfide |
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