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| 用水平汽相输运方法生长CdTe晶体 | |
| 作者姓名： | 谢钦熙 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 摘 要： | N.Yellin等采用闭管汽相输运技术获得了组份高度均匀,电阻率高和杂质密度低的晶体。但仍然存在着生长速率慢的弱点,生长的晶粒通常仅有250mm~3,Akutag和Zanio修改了piper-polish技术也仅得到了3cm~3的CdTe晶体。本文把原先自行设计的PbSnTe水平闭管汽相输运连续测速装置应用到CdTe晶体上 |
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