| 氧化物辅助生长硅纳米线 |
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| 引用本文： | 裴立宅,唐元洪,张勇,郭池,陈扬文.氧化物辅助生长硅纳米线[J].材料工程,2005(6):54-58. |
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| 作者姓名： | 裴立宅 唐元洪 张勇 郭池 陈扬文 |
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| 作者单位： | 湖南大学,材料科学与工程学院,长沙,410082;湖南大学,材料科学与工程学院,长沙,410082;湖南大学,材料科学与工程学院,长沙,410082;湖南大学,材料科学与工程学院,长沙,410082;湖南大学,材料科学与工程学院,长沙,410082 |
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| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 氧化物辅助生长机理是近年来在合成硅纳米线的过程中发展起来的一种研究一维纳米材料生长的机理,根据此机理已经制备出了多种一维纳米材料.介绍了氧化物辅助生长机理及其根据此机理制备硅纳米线的制备方法,载气、压力及原料等不同条件对合成硅纳米线的影响等进展情况,并对其发展作了展望.
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| 关 键 词： | 硅纳米线 氧化物辅助生长 激光烧蚀 热蒸发 |
| 文章编号： | 1001-4381(2005)06-0054-05 |
| 修稿时间： | 2005年1月4日 |
Silicon Nanowires Fabricated by Oxide-assisted Growth Mechanism |
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| PEI Li-zhai,TANG Yuan-hong,ZHANG Yong,GUO Chi,CHEN Yang-wen.Silicon Nanowires Fabricated by Oxide-assisted Growth Mechanism[J].Journal of Materials Engineering,2005(6):54-58. |
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| Authors: | PEI Li-zhai TANG Yuan-hong ZHANG Yong GUO Chi CHEN Yang-wen |
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| Abstract: | Many kinds of one-dimensional nanomaterials have been prepared by the oxide-assisted growth mechanism,which was proposed during the preparation of silicon nanowires. The oxide-assisted growth mechanism and preparation methods of silicon nanowires according to the oxide-assisted growth mechanism are introduced. The effects on different gases, pressures, and starting materials for synthesizing silicon nanowires using oxide-assisted method is reviewed in detail, and the development direction of studying silicon nanowires is also discussed. |
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| Keywords: | silicon nanowires oxide-assisted growth laser ablation thermal evaporation |
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