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10Gb/s 0.18μm CMOS注入式时钟恢复电路
引用本文:王骏峰,袁晟,冯军,王志功. 10Gb/s 0.18μm CMOS注入式时钟恢复电路[J]. 光通信技术, 2003, 27(12): 47-48
作者姓名:王骏峰  袁晟  冯军  王志功
作者单位:东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096
基金项目:国家863计划光电子项目(编号:2001AA312010)资助
摘    要:介绍了一种利用0.18μm CMOS工艺实现,用于SDH系统STM-64级别(10GHz)的时钟恢复电路。该电路采用注入式振荡器辅助锁相环的锁定。文中分析该电路的系统结构、单元电路结构和环路设计,并给出了模拟结果和版图。

关 键 词:注入式  时钟恢复  CMOS工艺
修稿时间:2003-08-21

10Gb/s Injection Clock Recovery Circuit Fabricated in 0.18μm CMOS Technology
Abstract:
Keywords:
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