| 热CVD法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性 |
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| 引用本文： | 曹连振,蒋红,宋航,李志明,赵海峰,吕文辉,刘霞,郭万国,阎大伟,孙晓娟,缪国庆.热CVD法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性[J].液晶与显示,2009,24(1). |
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| 作者姓名： | 曹连振 蒋红 宋航 李志明 赵海峰 吕文辉 刘霞 郭万国 阎大伟 孙晓娟 缪国庆 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院,研究生院,北京,100039
2. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展规划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征.研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性,并与无图形化处理的碳纳米管薄膜样品的场发射特性进行了比较.当发射电流密度达到10 μA/cm2时,无图形化处理的碳纳米管薄膜、10 μm碳纳米管线阵列以及2 μm碳纳米管线阵列样品的开启电场分别为3 V/μm、2.1 V/μm和1.7 V/μm;而当电场强度达3.67 V/μm时,相应的电流密度分别为2.57 mA/cm2、4.65 mA/cm2和7.87 mA/cm2. 实验结果表明,图形化处理后的碳纳米管作为场发射体,其场发射特性得到了明显的改善.对改善的原因进行了分析和讨论.
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| 关 键 词： | 碳纳米管 线阵列 热化学气相淀积 场发射特性 |
Field Emission Characters of Patterned Carbon Nanotube Line Array Emitters Prepared by Thermal Chemical Vapor Deposition |
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| CAO Lian-zhen,JIANG Hong,SONG Hang,LI Zhi-ming,ZHAO Hai-feng,LV Wen-hui,LIU Xia,GUO Wan-guo,YAN Da-wei,SUN Xiao-juan,MIAO Guo-qing.Field Emission Characters of Patterned Carbon Nanotube Line Array Emitters Prepared by Thermal Chemical Vapor Deposition[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2009,24(1). |
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| Authors: | CAO Lian-zhen JIANG Hong SONG Hang LI Zhi-ming ZHAO Hai-feng LV Wen-hui LIU Xia GUO Wan-guo YAN Da-wei SUN Xiao-juan MIAO Guo-qing |
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