GaN类探测成像器件的研究进展及其成果 |
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引用本文: | 陆苗霞.GaN类探测成像器件的研究进展及其成果[J].适用技术之窗,2011(3):135-138. |
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作者姓名: | 陆苗霞 |
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作者单位: | 应天职业技术学院,江苏南京210046 |
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摘 要: | GaN材料在光电子和微电子领域中得到广泛的应用,因此它是第三代半导体材料的典型代表。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。在成像技术方面,GaN类的成像器件包括紫外摄像机和紫外数字照相机。
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关 键 词: | GaN 紫外探测 成像器件 |
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