| 采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应 |
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| 引用本文： | 宋文斌, 许高博, 郭天雷, 韩郑生,. 采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应[J]. 电子器件, 2007, 30(5): 1535-1538 |
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| 作者姓名： | 宋文斌 许高博 郭天雷 韩郑生 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和“鸟嘴“效应引起的;0.8μmSOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反向窄沟道效应.我们认为,主要是由于杂质的重新分布降低了沟道边缘的杂质浓度所引起的.
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| 关 键 词： | 部分耗SOI 鸟嘴效应 边缘电场效应 反向窄沟道效应 杂质重新分布 |
| 文章编号： | 1005-9490(2007)05-1535-04 |
| 修稿时间： | 2006-11-06 |
Narrow Channel Effect of PD MOSFETs with LOCOS Isolation |
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| SONG Wen-bin,XU Gao-bo,GUO Tian-lei,HAN Zheng-sheng. Narrow Channel Effect of PD MOSFETs with LOCOS Isolation[J]. Journal of Electron Devices, 2007, 30(5): 1535-1538 |
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| Authors: | SONG Wen-bin XU Gao-bo GUO Tian-lei HAN Zheng-sheng |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PD SOI bird' beak effect fringing field Inverse-Narrow-Width-Effect doping redistribution |
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