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| MOS器件“鸟嘴区”电学特性研究 | |
| 引用本文： | 戚盛勇,金晓冬.MOS器件“鸟嘴区”电学特性研究[J].半导体学报,1996,17(12):902-906. |
| 作者姓名： | 戚盛勇 金晓冬 |
| 作者单位： | 复旦大学微分析中心 |
| 摘 要： | 随着ＭＯＳ器件尺寸的缩小，“鸟嘴区”对窄沟器件的电学特性已产生了明显的影响．本文研究了窄沟器件（Ｗ＝１．２μｍ，２μｍ）中“鸟嘴区”引起的栅电压对有效沟道宽度调制效应以及“鸟嘴”区域内载流子有效迁移率的变化规律，并对窄沟器件模型提出了修正公式． |
| 关 键 词： | MOS器件 电学特性 窄沟器件 |
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