适用于器件制程的立式扩散/氧化设备设计与验证

针对半导体器件的国产化制造及工艺制程需求，设计了一款适用于200 mm(8英寸）晶圆的立式扩散/氧化设备。介绍了设备的功能特点和几个关键部分的设计要点，并对炉体系统进行了详细论述；设备设计完成后上线进行了流片试验，根据工艺验证结果，该设备满足产品工艺要求，膜厚均匀性均优于±2%。