氮化铝（AlN）高温共烧多层基板技术研究

多芯片组件（ＭＣＭ）作为一种新技术正在迅速发展，随着组装的不断提高，ＩＣ集成度的提高，ＭＣＭ的功率密度越来越大，为了改善器件的散热，提高可靠性，要求功率ＭＣＭ所用的多层基板应用具有高导热性。本研究采用ＡｌＮ流延生瓷片与钨高温共烧的方法，成功地制备出高热导率的ＡｌＮ以陶瓷基板的 完全满足高功率ＭＣＭ的使用要求。