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Fe(1—x)CoxSi2薄膜的光学性质实验研究
引用本文:张荣君 周鹏 等. Fe(1—x)CoxSi2薄膜的光学性质实验研究[J]. 光电子.激光, 2001, 12(8): 781-784
作者姓名:张荣君 周鹏 等
作者单位:复旦大学信息科学与工程学院光科学与工程系,
基金项目:This project was su pported by the Natural Science Foundation of China,SRCAP,69076003,OOJCI40 29,,
摘    要:用反应沉积法(RDE)制备了一系列铁钴硅化物好Fe(1-x)CoxSi2薄膜,样品中掺杂的Co含量由卢瑟福背散射(RBS)确定。本文研究了样品的光学性质:室温下在0.26-4.80eV的光子能量范围内,用椭圆偏振光谱仪测量了样品的复介电函数谱。实验发现,Fe(1-x)CoxSi2薄膜的介电函数强烈地依赖于薄膜的状态:a)对于β的Fe(1-x)CoxSi2样品,其介电函数谱在红外低能区呈现出干涉峰,对应于半导体态;b)对于同时存在β相和∑相的混合相Fe(1-x)CoxSi2样品,其介电函数谱呈现出半导体和金属的混合态特征;c)对于∑的Fe(1-x)CoxSi2样品,其介电函数谱呈现出明显的金属态特征。XRD实验结果表明,样品介电函数谱的差异来源于薄膜中不同的Fe-Si相,而与样品中掺Co量的多少并无一定关系。

关 键 词:金属硅化物 光电材料 介电常数 光学性质 薄膜
文章编号:1005-0086(2001)08-0781-04
修稿时间:2001-01-12

Experimental Study of Optical Properties o f Fe(1-x)CoxSi2 Thin Films
ZHANG Rong jun,ZHOU Peng,ZHANG Ying jun,ZHENG Yu xiang,CHEN Liang yao. Experimental Study of Optical Properties o f Fe(1-x)CoxSi2 Thin Films[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2001, 12(8): 781-784
Authors:ZHANG Rong jun  ZHOU Peng  ZHANG Ying jun  ZHENG Yu xiang  CHEN Liang yao
Abstract:
Keywords:metallic silicide  optoelectric materials  dielectric function  optical properties
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