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过氧化聚吡咯分子印迹膜修饰电极对3,4-二羟基苯甲酸的测定
引用本文:王桂林,王荣,吴霞琴,章宗穰.过氧化聚吡咯分子印迹膜修饰电极对3,4-二羟基苯甲酸的测定[J].化学传感器,2007,27(2):31-36.
作者姓名:王桂林  王荣  吴霞琴  章宗穰
作者单位:1. 上海师范大学化学系,上海,200234
2. 上海师范大学化学系,上海,200234;湖南大学化学生物传感与计量学国家重点实验室,湖南长沙,410082
基金项目:国家自然科学基金,湖南大学生物传感与计量学国家重点实验室开放基金
摘    要:利用分子印迹技术,以3,4-二羟基苯甲酸(3,4-DHBA)作模板分子,通过循环伏安法电聚合吡咯.膜(PPy)和随后的定电位过氧化制备了3,4-DHBA-OPPy/GC分子印迹电极.该电极能有效地抑制电化学氧化过程中3,4-DHBA的聚合和同分异构体2,4-二羟基苯甲酸对其测定的干扰.实验结果表明,该修饰电极对3,4-DHBA测定的线性范围为1.0×10-5~1.6×10-3mol/L,检测限为5.0×10-6mol/L.

关 键 词:3  4-二羟基苯甲酸  2  4-二羟基苯甲酸  分子印迹  聚吡咯  修饰电极

Molecular imprinted over-oxidized polypyrrole modified electrode for the detection of 3,4-dihydrobenzoic acid
Wang Gui-lin,Wang Rong,Wu Xia-qin,Zhang Zong-rang.Molecular imprinted over-oxidized polypyrrole modified electrode for the detection of 3,4-dihydrobenzoic acid[J].Chemical Sensors,2007,27(2):31-36.
Authors:Wang Gui-lin  Wang Rong  Wu Xia-qin  Zhang Zong-rang
Abstract:
Keywords:3  4-dihydrobenzoic acid  2  4-dihydrobenzoic acid  molecular imprinted polymers (MIP)  polypyrrole  modified-electrode
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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