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| InSb磁敏电阻器的开发 | |
| 引用本文： | 王文生,祖光裕.InSb磁敏电阻器的开发[J].传感器与微系统,1990(1):31-34. |
| 作者姓名： | 王文生 祖光裕 |
| 作者单位： | 天津大学电子系 (王文生)，天津大学电子系(祖光裕) |
| 摘 要： | <正> InSb磁敏电阻器是利用半导体磁阻效应制成的一种磁敏元件。因为这种元件的基本结构是一种两端型结构,所以在各种应用中,特别是在电路布局中就比四端型霍尔元件有许多优越性。 |
| 关 键 词： | InSb 磁敏电阻器 电阻器 |
The Development of InSb Magnetosensitive Resistors |
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