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用于窄带滤光片的离子辅助沉积硅膜层的性能
引用本文:陈彤 卢进军. 用于窄带滤光片的离子辅助沉积硅膜层的性能[J]. 西安工业大学学报, 2006, 26(3): 242-245
作者姓名:陈彤 卢进军
作者单位:西安工业大学光电工程学院 西安710032
摘    要:为了简化窄带光学滤波器的结构,需要寻求更高折射率的膜层材料.采用宽束冷阴极离子源的离子束辅助沉积工艺实验,分析了工艺参数与硅膜层折射率之间的关系,获得了对波长1550 nm折射率在3.45~3.46之间、消光系数小于10-6的硅膜层.使用实验得到的硅膜层和二氧化硅组合,设计了有71层膜层、信道间隔为200GHz的光学滤波器,峰值插入损耗0.18 dB,0.5 dB处的波长带宽为0.86 nm,0.25 dB处的波长带宽为1.91 nm,通带波纹系数ξ=0.12 dB,满足国际通信联盟(ITU)对密集波分复用系统(DWDM)用窄带滤波器的要求.

关 键 词:密集波分复用  光学滤波器  离子辅助沉积  硅膜层  折射率
文章编号:1000-5714(2006)03-242-04
收稿时间:2006-04-06
修稿时间:2006-04-06

The Properties of Silicon Layer Prepared by Ion-assisted-deposition for Narrow Band Pass Filter
CHEN Tong, LU Jin-jun. The Properties of Silicon Layer Prepared by Ion-assisted-deposition for Narrow Band Pass Filter[J]. Journal of Xi'an Institute of Technology, 2006, 26(3): 242-245
Authors:CHEN Tong   LU Jin-jun
Abstract:
Keywords:dens wavelength division multiplexing  optical filter  ion-assisted-deposition  silicon film  refractive index.
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