| 一种集成高压感性能量耦合前端的植入式神经电刺激器 |
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| 引用本文： | 王远,张旭,刘鸣,李鹏,陈弘达. 一种集成高压感性能量耦合前端的植入式神经电刺激器[J]. 半导体学报, 2014, 35(10): 105012-8 |
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| 作者姓名： | 王远 张旭 刘鸣 李鹏 陈弘达 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家重点基础研究规划项目;国家高技术研究发展计划 |
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| 摘 要： | 本文提出了一种包含片上感性能量耦合前端和高压刺激生成电路的高集成度神经电刺激器。其中高压感性能量耦合前端由高压全波整流桥（交流输入可达100V），高压串联稳压器（24V和5V输出），和包含了带隙基准的线性稳压器（1.8V和3.3V输出）构成。凭借高压串联稳压器的大电压输出（24V），该神经电刺激器能够在高的电极-组织接触电阻情况下输出较大的刺激电流。本文所述芯片使用CSMC 1μm 高压BCD工艺制备，芯片面积为5.8 mm2。在13.56 MHz交流输入情况下测试，表现出良好的稳定性。与类似的芯片相比，该芯片具有宽输入范围、高输出电压和高集成度的优势，非常适合植入式神经电刺激的应用。
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| 关 键 词： | 高压工艺，植入式生物医疗器件，感性能量耦合传输，线性稳压器，神经电刺激器 |
| 收稿时间： | 2014-04-01 |
An implantable neurostimulator with an integrated high-voltage inductive power-recovery frontend |
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| Wang Yuan,Zhang Xu,Liu Ming,Li Peng and Chen Hongda. An implantable neurostimulator with an integrated high-voltage inductive power-recovery frontend[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2014, 35(10): 105012-8 |
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| Authors: | Wang Yuan Zhang Xu Liu Ming Li Peng Chen Hongda |
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| Affiliation: | Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high-voltage techniques implantable biomedical devices inductive power transmission linear regulator neurostimulation |
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