| 利用同步晶化法制备的镍纳米晶的电荷存储特性 |
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| 引用本文： | 程佩红,黄仕华,陆昉. 利用同步晶化法制备的镍纳米晶的电荷存储特性[J]. 半导体学报, 2014, 35(10): 103002-6 |
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| 作者姓名： | 程佩红 黄仕华 陆昉 |
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| 基金项目： | 低成本和高效率的多晶硅薄膜太阳能电池的研究（61076055） |
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| 摘 要： | 快速退火纳米晶化法是目前常用的金属纳米晶制备方法，但其后续600~900℃高温退火会降低器件的电学特性和可靠性。本文提出了热预算低的金属纳米晶制备的新方法—沉积过程中的同步金属薄膜原位纳米晶化法，可以省掉后续单独的退火处理工艺，使金属薄膜同步产生纳米晶化，降低工艺热功耗及简化工艺，从而有效地改善上述薄膜沉积后退火纳米晶化法的不足。在不同衬底温度（250~325 ?C）下，利用同步纳米晶化法制备镍纳米晶存储器。随着生长温度的增加，其存储窗口先增加到最大值再降低。衬底温度为300 ?C时，其存储窗口（2.78 V）最大。与快速热退火法镍纳米晶存储器相比较，同步纳米晶化法制备镍纳米晶存储器具有更强的电荷存储能力。另外，研究了不同操作电压和脉冲时间下器件的平带电压偏移量，当操作电压增加到±10 V时出现了较大的平带电压偏移量，这表明器件发生了大量的载流子（电子和空穴）注入现象。最后，模拟了金属纳米晶存储器的载流子（电子和空穴）注入和释放过程。
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| 关 键 词： | 金属纳米晶储存器；同步晶化；C-V特性 |
| 收稿时间： | 2014-04-06 |
Charge storage characteristics of Ni nanocrystals formed by synchronous crystallization |
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| Cheng Peihong,Huang Shihua and Lu Fang. Charge storage characteristics of Ni nanocrystals formed by synchronous crystallization[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2014, 35(10): 103002-6 |
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| Authors: | Cheng Peihong Huang Shihua Lu Fang |
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| Affiliation: | Physics Department, Zhejiang Normal University, Jinhua 321004, China;Surface Physics National Key Laboratory, Fudan University, Shanghai 200433, China;Physics Department, Zhejiang Normal University, Jinhua 321004, China;Surface Physics National Key Laboratory, Fudan University, Shanghai 200433, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | metal nanocrystal memory synchronously crystallization C-V characteristics |
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