| 金属栅薄膜全耗尽器件研究 |
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| 引用本文： | 颜志英,王雄伟,丁峥. 金属栅薄膜全耗尽器件研究[J]. 微电子学, 2008, 38(1): 100-103,107 |
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| 作者姓名： | 颜志英 王雄伟 丁峥 |
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| 作者单位： | 浙江工业大学,信息工程学院,杭州,310032 |
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| 摘 要： | 实验并研究了采用金属栅工艺的全耗尽SOI MOS器件.采用LDD结构,以减小热载流子效应,防止漏击穿;采用突起的源漏区,以增加源漏区的厚度,并减小源漏区的串联电阻,以增强器件的电流驱动能力,降低寄生电阻,减小静态功耗.研究并分析了硅膜厚度对阈值电压和阈值电压漂移的影响,以及对本征栅电容和静态功耗的影响.与采用常规工艺的器件相比,提高了输出驱动电流,改善了器件的亚阈值特性,特别是在沟道掺杂浓度比较低的情况下,能得到非常合适的阈值电压.
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| 关 键 词： | 全耗尽器件 金属栅 SOI CMOS MOSFET 短沟道效应 金属栅 薄膜 全耗尽 器件 研究 Gate Devices SOI CMOS 情况 比较 掺杂浓度 沟道 亚阈值特性 改善 驱动电流 输出 常规工艺 栅电容 本征 影响 |
| 文章编号： | 1004-3365（2008）01-0100-04 |
| 收稿时间： | 2007-04-27 |
| 修稿时间： | 2007-10-17 |
A Study on Fully-Depleted SOI CMOS Devices with TiN Gate |
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| YAN Zhi-ying,WANG Xiong-wei,DING Zheng. A Study on Fully-Depleted SOI CMOS Devices with TiN Gate[J]. Microelectronics, 2008, 38(1): 100-103,107 |
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| Authors: | YAN Zhi-ying WANG Xiong-wei DING Zheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Fully depleted device TiN gate SOI CMOS MOSFET Short-channel effect |
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