分子束外延制备的毫米波GaAsFET

研制了适于毫米波频段工作的GaAsMESFET。这些器件的特点是电子束确定亚半微米栅长,用MBE生长材料。有源层掺杂浓度为6×10~(17)/cm~3,跨导达330mS/mm。75μm栅宽器件在35、44和60GHz下增益分别达到13、9.5和6.5dB。