| 晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法 |
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| 引用本文： | 周春兰,王文静. 晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法[J]. 中国测试技术, 2007, 33(6): 25-31 |
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| 作者姓名： | 周春兰 王文静 |
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| 作者单位： | 中国科学院电工研究所,北京,100080 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体晶体硅材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响。分别介绍了常用的测量晶体硅和晶体硅太阳电池少子寿命的各种方法,包括微波光电导衰减法(MW-PCD),准稳态光电导方法(QSSPC),表面光电压(SPV),IR浓度载流子浓度成像(CDI),调制自由载流子吸收(MFCA)和光束(电子束)诱导电流(LBIC,EBLC),并指出了各种方法的优点和不足。
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| 关 键 词： | 晶体硅 太阳能电池 少子寿命 微波光电导衰减 准稳态光电导 表面光电压 |
| 文章编号： | 1672-4984(2007)06-0025-07 |
| 修稿时间： | 2007-03-22 |
Lifetime measurement for minority carrier of crystalline silicon solar cells |
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| ZHOU Chun-lan,WANG Wen-jing. Lifetime measurement for minority carrier of crystalline silicon solar cells[J]. China Measurement Technology, 2007, 33(6): 25-31 |
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| Authors: | ZHOU Chun-lan WANG Wen-jing |
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| Affiliation: | Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences,Beijing 100080,China |
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