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| 干氧氧化单晶硅氧化膜形态研究 | |
| 引用本文： | 孙贵如,李文超.干氧氧化单晶硅氧化膜形态研究[J].稀有金属,1989,13(1):57-62. |
| 作者姓名： | 孙贵如 李文超 |
| 作者单位： | 北京有色金属研究总院，北京有色金属研究总院，北京科技大学，北京科技大学 日本电子公司技术顾问兼北京有色金属研究总院技术顾问 |
| 摘 要： | 用扫描电子显微镜和超高压电子显微镜观察和分析了(111)单晶硅1100℃干氧氧化的不同厚度氧化膜的形态和结构。结合单晶硅氧化动力学三段理论,提出了氧化膜生长机制。电子和 X-射线衍射分析,确定氧化膜是由具有不同晶体结构的二氧化硅构成。文中还讨论了氧化膜生长时,在 Si-SiO_2界面处的层错及位错的成因。 |
| 关 键 词： | 单晶硅 氧化膜 氧化 形态 |
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