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| 氧和氢对硅单晶电子辐照缺陷的影响 | |
| 引用本文： | 高愈尊,高桥平七.氧和氢对硅单晶电子辐照缺陷的影响[J].稀有金属,1989,13(1):47-50. |
| 作者姓名： | 高愈尊 高桥平七 |
| 作者单位： | 北京有色金属研究总院 (高愈尊)，日本北海道大学工学部金属研究所 (高桥平七郎，佐藤羲一)，日本北海道大学工学部金属研究所(竹山太郎) |
| 摘 要： | 在超高压电镜中,用100万伏加速电压于室温～773K 之间对硅单晶进行电子辐照。实验发现,在含氧硅单晶中比含氢硅单晶中更易产生辐照缺陷。在含氧硅单晶中辐照缺陷密度较大,而且形成缺陷所需的孕育时间也较短。棒状缺陷、层错和位错环均沿〈110〉方向。棒状缺陷和层错有〈116〉型的位移矢量,层错在(113)面上。非层错化过程产生具有柏氏矢最为 a/2〈110〉型的间隙型位错环. |
| 关 键 词： | 单晶硅 氧 氢 电子辐照 辐照缺陷 |
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