| 纳米晶Ge颗料镶嵌SiO_2复合膜的多峰光致发光及其机理 |
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| 引用本文： | 许怀哲,朱美芳,侯伯元,陈光华,马智训,陈培毅.纳米晶Ge颗料镶嵌SiO_2复合膜的多峰光致发光及其机理[J].半导体学报,1997,18(6):417-423. |
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| 作者姓名： | 许怀哲 朱美芳 侯伯元 陈光华 马智训 陈培毅 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学研究生院物理部!北京100039，中国科学技术大学研究生院物理部!北京100039，中国科学技术大学研究生院物理部!北京100039，北京工业大学应用物理系，北京100022，兰州大学物理系，兰州730000，兰州大学物理系!兰州730000，清华大学微电子研究所!北京100084 |
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| 摘 要： | 用射频（RF）共溅射和热退火处理的方法制备了纳米锗颗粒镶嵌SiO2复合薄膜（nc－Ge／SiO2），观察到了多峰的光致发光现象，发现随着激发光波长的增长，多峰发光谱的最强峰向低能方向移动，但是各子峰的位置不发生改变，而且不同样品的发光谱子峰位置非常一致．X射线光电子能谱（XPS）分析显示膜中不存在纳米晶硅成分，表明多峰光致发光与镶嵌在SiO2复合中的纳米锗颗粒有关。
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