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| Nand闪存达到4Gb | |
| 引用本文： | 姚会.Nand闪存达到4Gb[J].微电脑世界,2004(8). |
| 作者姓名： | 姚会 |
| 摘 要： | SanDisk和Toshiba最近加大了合作开发Nand型闪存的力度,通过采用90nm工艺的多级蜂窝(Multilevel Cell)技术实现了4Gb容量的存储芯片。与此同时,他们的合作伙伴还利用该芯片开发出双倍容量(8Gb)的堆叠芯片。预计样品即将上市,4Gb和8Gb的售价分别为113和226美元。另外,堆叠了4块4Gb Nand芯片的封装样品计划于 |
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