| 砷注入硅中高温瞬态热退火研究 |
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| 引用本文： | 周冠山.砷注入硅中高温瞬态热退火研究[J].半导体光电,1990,11(3):286-288. |
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| 作者姓名： | 周冠山 |
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| 作者单位： | 航空工业部○一四中心 洛阳 |
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| 摘 要： | 本文采用阳极氧化法剥层技术和扩展电阻法研究了砷离子注入硅中的高温瞬态热退火行为;测定了退火后杂质分布结深和杂质激活率,并与理论结果进行了比较。结果表明:120keV 砷注入5×10~(15)cm~(-2),经1180℃3分钟退火后,杂质激活率和再分布情况都比较理想。本研究首次采用扩散炉进行高温热退火。
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| 关 键 词： | 砷 硅 热退火 离子注入 半导体 |
Study on High Temperature Instantaneous Thermal Annealing in As-Implanted Si |
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| Zhou Guanshan No. Center under the Ministry of Aircraft Industry Luoyang.Study on High Temperature Instantaneous Thermal Annealing in As-Implanted Si[J].Semiconductor Optoelectronics,1990,11(3):286-288. |
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| Authors: | Zhou Guanshan No Center under the Ministry of Aircraft Industry Luoyang |
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| Affiliation: | Zhou Guanshan No.014 Center under the Ministry of Aircraft Industry Luoyang 471009 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ion-Implantation and High Temperature In Annealing |
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