| MnxCd1-xIn2 Te4晶体生长研究 |
| |
| 引用本文： | 常永勤,安卫军,郭喜平,介万奇.MnxCd1-xIn2 Te4晶体生长研究[J].功能材料,2002,33(2):193-194,197. |
| |
| 作者姓名： | 常永勤 安卫军 郭喜平 介万奇 |
| |
| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(59872027);航空科学基金资助项目(98G53099) |
| |
| 摘 要： | 采用Bridgman法生长四元稀磁化合物半导体Mn0.22Cd0.78In2Te4晶体。当晶体生长到预定长度时，淬火得到固液界面。采用光学显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪以及Leica定量金相分析仪研究了晶体中出现的界面形态、相的和数量以及沿生长方向的相析出规律，并进行了相成分分析。研究发现，淬火得到的Mn0.22Cd0.78In2Te4晶体中存在两个界面，其中一个为固液相变界面，另一个为由α＋β两相区发展到单相β区时的转变界面，二者相对于生长初始端均为凹形；α＋β两相区中，β相以条状、花状和近似圆片状形式存在，其中条状β相多分布在晶界处；越接近生长初始端，花状和近似圆片状β相越小，条状β相越细，它们的含量越少；X射线衍射图谱表明，β相为黄铜矿结构，α相为面心立方结构。
|
| 关 键 词： | 晶体生长 相变界面 β相 X射线衍射图谱 稀释磁性半导体 |
| 文章编号： | 1001-9731(2002)02-0193-02 |
Crystal growth of MnxCd1-xIn2Te4 |
| |
| CHANG Yong qin,AN Wei jun,GUO Xi ping,JIE Wan qi.Crystal growth of MnxCd1-xIn2Te4[J].Journal of Functional Materials,2002,33(2):193-194,197. |
| |
| Authors: | CHANG Yong qin AN Wei jun GUO Xi ping JIE Wan qi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | MnxCd1-xIn2Te4 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
