Ba_2TiSi_2O_8晶体的生长及其电弹常数的测定 |
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引用本文: | 申传英,王继扬,张怀金,尹鑫,张园园,徐洪浩,韩树娟.Ba_2TiSi_2O_8晶体的生长及其电弹常数的测定[J].硅酸盐学报,2012(9):1311-1315. |
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作者姓名: | 申传英 王继扬 张怀金 尹鑫 张园园 徐洪浩 韩树娟 |
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作者单位: | 山东大学晶体材料国家重点实验室; |
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摘 要: | 采用提拉法生长了尺寸为35mm×35mm×50mm的透明Ba2TiSi2O8晶体。XRD结果表明所得晶体的物相为Ba2TiSi2O8单晶,浮力法测量晶体的密度为4.465g/cm3。利用静电容法测量Ba2TiSi2O8晶体的相对介电常数为ε11/ε0=16.35和ε33/ε0=12.38。干涉法测量的压电常数为d15=17.55 pC/N、d31=-1.49 pC/N,谐振法测量的机电耦合系数为k33=10%,弹性常数sE11=7.5×10-12、sE33=13.3×10-12、sE44=33.6×10-12m2/N和sE66=12.8×10-12m2/N。并测量了Ba2TiSi2O8晶体的电阻率为pa=9.43×1013.cm、pc=5.84×1013 cm。通过测量发现,Ba2TiSi2O8晶体压电常数远大于石英的,且具有大的机电耦合系数和较大的电阻率,是一种优良的压电晶体材料。
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关 键 词: | 提拉法 硅钛钡石晶体 压电晶体 电弹常数 机电耦合系数 |
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