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杂志ISSN号
质子在硅中能量损失的体密度效应的研究
作者姓名:
马忠权
作者单位:
中国科学院新疆物理研究所
摘 要:
用能损的二分量理论详细讨论了快速荷电粒子在同素异形态Si薄膜中的能量沉积过程。在Bethe-Bloch公式中引入了一个能损修正因子η(E,ρ)≤1。由入射粒子在固体中产生传导电子的集体激发和附有修正因子η(E,ρ)的内壳层电子单体电离-激发之和解释能损的同素异形态效应的实验结果,通过对实验数据的拟合,救是η(E,ρ)。
关 键 词:
快离子束 体密度效应 硅薄膜 能量沉积
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