| GaN基HFET的新进展 |
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| 引用本文： | 俞慧强,张荣,周玉刚,沈波,顾书林,施毅,郑有.GaN基HFET的新进展[J].固体电子学研究与进展,2001,21(2):139-145. |
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| 作者姓名： | 俞慧强 张荣 周玉刚 沈波 顾书林 施毅 郑有 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系, |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究规划! (9737项目“信息功能材料相关基础问题”)，86 3高技术研究计划，国家自然科学基金资助项
目! (6 992 6 0 14 |
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| 摘 要： | 回顾了氮化镓 ( Ga N)基异质结场效应晶体管 ( HFET)的发展 ,概述了它的直流和微波特性。制作氮化镓基 HFET可以采用不同的器件结构 ,不同的结构有各自的优点 ,对器件性能有很大影响。多数器件采用了其中两种比较成熟的结构 ,文中对这两种结构进行了讨论
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| 关 键 词： | 氮化镓 异质结场效应晶体管 进展 |
| 文章编号： | 1000-3819(2001)02-0139-07 |
| 修稿时间： | 2000年8月1日 |
The Progress of GaN Based HFETs |
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| Abstract: | The progress in development of GaN based Heterostructure FETs(HFETs)is reviewed.The dc and microwave properties of GaN/AlGaN HFETs are described.GaN HFETs have been fabricated in different structures,which controls the characteristics of these HFETs.Most HFET devices are fabricated in two mature structures.These two device structures have been detailedly discussed. |
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| Keywords: | GaN HFET progress |
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