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| 硼—硅玻璃扩散硅中的工艺诱生缺陷 | |
| 作者姓名： | O.Aina P.Keanedy 夏前文 |
| 作者单位： | 通用电气公司，通用电气公司 |
| 摘 要： | 我们采用深能级瞬态波谱(DLTS法)检测了以硼硅玻璃为源的高温扩散工艺所产生的缺陷。已测到的缺陷能级为:E_c—0.12,E_c—0.26,E_c—0.36,E_c—0.55和E_v+0.23eV。业已表明:在后续工艺的磷预淀积、热氧化和再分布中,这些缺陷能级被退火。随着缺陷浓度的降低,载流子的寿命从10微秒提高到36微秒。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |