| 化学机械抛光中的硅片夹持技术 |
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| 引用本文： | 孙禹辉,康仁科,郭东明,金洙吉,苏建修.化学机械抛光中的硅片夹持技术[J].半导体技术,2004,29(4):10-14. |
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| 作者姓名： | 孙禹辉 康仁科 郭东明 金洙吉 苏建修 |
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| 作者单位： | 大连理工大学机械工程学院,辽宁,大连,116024;大连理工大学机械工程学院,辽宁,大连,116024;大连理工大学机械工程学院,辽宁,大连,116024;大连理工大学机械工程学院,辽宁,大连,116024;大连理工大学机械工程学院,辽宁,大连,116024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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辽宁省大连市科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 目前半导体制造技术已经进入0.1 3μm时代,化学机械抛光(CMP)已经成为IC制造中不可缺少的技术.本文描述了下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)局部和全局平坦化精度的要求,介绍了目前工业发达国家在化学机械抛光加工中硅片夹持技术方面的研究现状,分析了当前硅片夹持技术中存在的问题,并指出了未来大尺寸硅片超精密平坦化加工中夹持与定位技术的发展趋势.
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| 关 键 词： | 集成电路 化学机械抛光 夹持技术 |
| 文章编号： | 1003-353X(2004)04-0010-05 |
The mounting technology in chemical mechanical polishing (CMP) |
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| SUN Yu-hui,KANG Ren-ke,GUO Dong-ming,JIN Zhu-ji,SU Jian-xiu.The mounting technology in chemical mechanical polishing (CMP)[J].Semiconductor Technology,2004,29(4):10-14. |
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| Authors: | SUN Yu-hui KANG Ren-ke GUO Dong-ming JIN Zhu-ji SU Jian-xiu |
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| Abstract: | Presently the semiconductor manufacturing technology has come into the age of0.13mm. Chemical mechanical polishing(CMP) has become the indispensable technology in ICmanufacture. Next generation IC needs large-scale wafers (300mm) with high local and globalplanarization precision. This paper introduces research work of developed industry country on wa-fer mounting technology in CMP process, and then describes the development trend. |
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| Keywords: | IC CMP mounting technology |
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