| SiGe HBT及高速电路的发展 |
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| 引用本文： | 姚飞,成步文,王启明. SiGe HBT及高速电路的发展[J]. 微纳电子技术, 2003, 40(10): 5-14 |
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| 作者姓名： | 姚飞 成步文 王启明 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083 |
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| 摘 要： | 详细讨论了SiGeHBT的直流交流特性、噪声特性,SiGeHBT的结构、制作工艺、与工艺相关的寄生效应、SOI衬底上的SiGeHBT等,以及它在高速电路中的应用,包括低噪声放大器(LNA)、功率放大器(PA),电压控制振荡器(VCO)以及涉及到的无源器件等。
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| 关 键 词： | SiGe 异质结双极晶体管 射频 低噪声放大器 功率放大器 |
| 文章编号： | 1671-4776(2003)10-0005-10 |
| 修稿时间： | 2003-05-10 |
The development of SiGe HBT and the application in RF circuits |
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| YAO Fei,CHENG Bu-wen,WANG Qi-ming. The development of SiGe HBT and the application in RF circuits[J]. Micronanoelectronic Technology, 2003, 40(10): 5-14 |
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| Authors: | YAO Fei CHENG Bu-wen WANG Qi-ming |
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| Abstract: | The combination of SiGe HBTs with advanced Si CMOS to form an SiGe BiCMOS technology represents a unique opportunity for Si-based RF system-on-chip solutions.SiGe HBT technology is reviewed and its application for RF systems is also discussed. |
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| Keywords: | SiGe HBT RF LNA PA |
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