| Ka波段单片低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 杨浩, 黄华, 郝明丽, 陈立强, 张海英,.Ka波段单片低噪声放大器[J].电子器件,2007,30(4):1242-1245. |
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| 作者姓名： | 杨浩 黄华 郝明丽 陈立强 张海英 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 利用0.25 μm GaAs PHEMT工艺设计并制作了一种Ka波段低噪声放大器芯片.提出了适用于低噪声放大器的PHEMT器件特征.电路采用四级级联结构.利用微带电路实现输入、输出和级间匹配.通过对电路增益、噪声系数和驻波比等指标进行多目标优化,确定了器件参数.该放大器测试结果为:26.5～36 GHz频段内增益大于20 dB;多数测试点噪声系数小于3 dB,其中34 GHz频点噪声仅为1.94 dB;芯片面积2.88 mm×1 mm.
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| 关 键 词： | 微波单片集成电路 低噪声放大器 赝配高电子迁移率晶体管 微带电路 |
| 文章编号： | 1005-9490（2007）04-1242-04 |
| 修稿时间： | 2006-07-14 |
Ka-Band Monolithic Low Noise Amplifier |
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| YANG Hao,HUANG Hu,HAO Ming-li,CHEN Li-qiang,ZHANG Hai-ying.Ka-Band Monolithic Low Noise Amplifier[J].Journal of Electron Devices,2007,30(4):1242-1245. |
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| Authors: | YANG Hao HUANG Hu HAO Ming-li CHEN Li-qiang ZHANG Hai-ying |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronic. Chinese Academy of Sciences. Beijing 100029, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MMIC low noise amplifier PHEMT microstrip line circuit |
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